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IXFH12N80P IXFQ12N80P
IXFV12N80P IXFV12N80PS
16
Fig. 7. Input Adm ittance
24
Fig. 8. Tr ans conductance
14
12
10
21
18
15
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
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6
4
2
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
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0
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35
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
30
25
20
15
T J = 125 o C
9
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7
6
5
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V DS = 400V
I D = 6A
I G = 10m A
10
T J = 25 o C
3
2
5
1
0
0
0.4
0.5
0.6
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0.8
0.9
1
1.1
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45
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55
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
Fig. 11. Capacitance
10000
f = 1MH z
C iss
1000
C oss
100
C rss
10
0
5
10
15
20
25
30
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40
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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